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SUD19N20-90
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
40
30
20
V GS = 10 V thru 7 V
6V
40
30
20
T C = 125 °C
10
5V
10
25 °C
0
4V
0
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
70
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
60
50
T C = - 55 °C
0.15
25 °C
40
125 °C
0.10
V GS = 6 V
30
V GS = 10 V
20
10
0
0.05
0.00
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
2500
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2000
1500
1000
500
0
C rss
C oss
C iss
16
12
8
4
0
V DS = 100 V
I D = 19 A
0
40
80
120
160
200
0
10
20
30
40
50
60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 71767
S10-2245-Rev. E, 04-Oct-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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